|
Títol:
|
Estudi i disseny de diverses alternatives per a fer més estable una memòria SRAM |
|
Autor/es
|
Riera Benito, Pau
; Alorda Ladaria, Bartomeu |
|
Matèries en català:
|
Ordinadors Dispositius de memòria. |
|
Matèries en anglès:
|
Computer storage devices. |
|
Abstract:
|
[cat] Les memòries SRAM actualment estan en constant creixement tant a nivell d’utilització com d’investigació i es possible trobar memòries SRAM en un gran nombre d’aparells electrònics. Malauradament, la miniaturització de la tecnologia CMOS presenta greus problemes per a les memòries SRAM, en aquest tipus de memòries el procés d’escalat o miniaturització te un impacte gran sobre l’estabilitat de les dades emmagatzemades a la cel·la SRAM. Per aquesta raó el grup de Sistemes Electrònics de la UIB va proposar estudiar el comportament de tres memòries SRAM amb diferents configuracions de cel·la cada una. En aquest document s’explica els procediments que s’han dut a terme per al disseny de tres configuracions de memòria SRAM i els resultats obtinguts de la simulació d’aquests dissenys. |
|
Font:
|
Enginy 2011, no. 3, pp. 74-80 |
|
Identificador:
|
1889-4771 |
|
Tipus de document:
|
info:eu-repo/semantics/article ; info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
|
Avís legal:
|
all rights reserved ; info:eu-repo/semantics/openAccess |
